型号:IPD50N04S3-09 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 50A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9 毫欧 @ 50A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 28µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 26nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1750pF @ 25V |
功率_最大 | 63W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
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深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
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